카메라 플래시를 이용해 초미세 패턴의 반도체를 제작하는 기술이 개발됐습니다.
한 번의 플래시로 대면적에서 초미세 패턴을 제작할 수 있는 기술로, 향후 고효율, 고집적 반도체 소자 제작 등에 활용될 전망입니다.
이정우 기자입니다.
[기자]
4차 산업혁명의 주요 요소인 인공지능과 사물인터넷, 빅데이터 등의 기술에는 고용량·고성능 반도체 소자가 필요합니다.
이러한 차세대 반도체 소자는 실리콘 반도체 회로 패턴을 아주 작게 만드는 리소그래피 기술이 핵심입니다.
현재 작은 패턴 제작에는 주로 '광 리소그래피' 기술을 이용하고 있지만, 이 기술은 10㎛ 이하 패턴 제작에는 한계가 있습니다.
국내 연구진이 카메라의 플래시를 이용해 7㎚급 초미세 반도체를 제작할 수 있는 기술을 개발했습니다.
[진형민 / KAIST 신소재공학과 연구원 : 고분자 자기 조립 패터닝을 할 때 손쉽게 카메라 플래시를 이용해서 매우 빠른 시간 안에 손쉽게 패턴을 형성할 수 있는 기술입니다.]
플래시 빛을 이용하면 15밀리 초, 즉 천분의 15초 이내에 7㎛의 반도체 패턴을 구현할 수 있고, 대면적에서 수십 밀리 초의 짧은 시간 내에 수 백도의 고온을 낼 수 있습니다.
특히, 한 번의 플래시를 터뜨리는 것만으로도 분자 조립 패턴을 형성하고, 고온 열처리 공정이 불가능했던 고분자 유연 기판에도 적용할 수 있습니다.
[김상욱 / KAIST 신소재공학과 교수 : 값싼 공정을 통해서도 효율적으로 아주 작은 패턴을 만들 수 있기 때문에 반도체 기술의 양산, 경쟁력, 국가 경쟁력 재건을 위해서도 아주 의의가 클 것으로 예상됩니다.]
KAIST 이건재 교수팀과 부산대 김광호 교수팀이 공동 수행한 이번 연구는 국제 학술지 '어드밴스드 머티리얼즈' 온라인판에 실렸습니다.
YTN 이정우[ljwwow@ytn.co.kr]입니다.
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